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SUD50N04-8m8P
Vishay Siliconix
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
40
R DS(on) ( Ω )
0.0088 at V GS = 10 V
0.0105 at V GS = 4.5 V
I D (A) a
50
50
Q g (Typ.)
16 nC
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % UIS Tested
? 100 % R g Tested
? PWM Optimized
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? LCD Display Backlight Inverters
TO-252
Drain Connected to Ta b
? DC/DC Converters
G
D
G
D
S
Top V ie w
Orderin g Information: SUD50 N 04- 8 m 8 P-4GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
S
N-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
40
± 20
50 a
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
T C = 70 °C
T A = 25 °C
I D
44
14 b
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
Single Pulse Avalanche Current
Avalanche Energy
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
L = 0.1 mH
I DM
I S
I AS
E AS
11.2 b
100
40
2.6 b
30
45
A
mJ
T C = 25 °C
48.1
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
30.8
3.1 b
W
T A = 70 °C
2.0 b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient b
Maximum Junction-to-Case
Steady State
Steady State
R thJA
R thJC
32
2.1
40
2.6
°C/W
Notes:
a. Package limited.
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 68647
S10-0109-Rev. B, 18-Jan-10
www.vishay.com
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